细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅样品
碳化硅碳化硅成分分析国家标准样品济南众标科技有限公司
2023年4月26日 国家编号：GSB08322120142 样品编号：ZBN431 样品名称：碳化硅 SiC 9086 Fe 2 O 3 112 CF 348 SiF 024 SiO 2 2 Al 2 O 3 077 CaO 047 MgO 0039碳化硅成分分析国家标准样品济南众标科技有限公司 您当前的位置： 首页 产品分 碳化硅成分分析国家标准样
中国科学院上海硅酸盐研究所无机材料力学性能表征课题组
碳纤维、碳化硅纤维、氧化铝纤维等无机纤维的密度和线密度、上浆剂含量、直径与横截面积 上浆剂含量：样品不少于 2g 密度和线密度：长度不少于 3m2023年4月26日 碳化硅成分分析国家标准样品济南众标科技有限公司 您当前的位置： 首页 产品分类 焦炭、石油焦、沥青焦、石墨、碳化硅系列国家标准样品 碳化硅成分分析国家 碳化硅成分分析国家标准样品济南众标科技有限公司
SN∕T 10392020 进出口吨包装碳化硅取样制样方法(出入境
2022年6月18日 本标准所代替标准的历次版本发布情况为：SN/T 。1SN/T 进出口吨包装碳化硅取样制样方法1 适用范围本标准规定了进出口吨袋包 4、 2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀 碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅
国家标准委发布《耐火材料用碳化硅标准样品》百度文库
《耐火材料 用碳化硅标准样品》等48项国家标准样品由质检总局与 国家标准 化管理委员会联合发布，具体名录见附件。 附件：48项国家标准样品《耐火材料 用碳化硅标准样品》等48项国家标准样品由质检总局与 国家标准 化管理委员会联合发布，具体名录见附件。 附件：48项国家标准样品 序号 国家标准样品编号 国家标准 国家标准委发布《耐火材料用碳化硅标准样品》页PPT文档
碳化硅的测定百度文库
碳化硅的应用非常广泛，常用于以下几个领域： 1 电子元器件 碳化硅具有优良的导热性能和电热性能，可以用于制作电子元器件中的热敏电阻、基板、晶体管等。 1成分分析法 成 2020年3月31日 碳化硅粉末是一种超硬材料，产品采用绿色碳化硅砂经研磨分级提纯制成，其粒度均匀、硬度高、脆性大、自锐性强，切削能力较强，化学性质稳定，导热性好，可以用作研磨粉、研磨膏类使用什么是碳化硅粉末—碳化硅粉末标准及应用
SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究
2017年11月6日 下一步可以尝试通过控制不同粒度的粗、细SiC粉体颗粒分布，使SiC陶瓷样品烧结实现致密化，力学性能也可相应提高。 (1)本试验中，在2150 ℃，随着酚醛树脂添加量的增加，材料的致密度提高, 力学性能增强。当酚醛树脂添加量到2wt．%时, 材料的密度最 2024年2月28日 持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，国基南方、55所碳化硅团队贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，陆续攻破高温高能离子注入、高迁移率栅氧化等关键工艺。 经过集智攻坚，团队建立国内条6英寸碳化硅功率产品生产 国基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技术攻关，打造汽车
激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用 工业应用频道
2024年2月27日 碳化硅晶圆纳秒紫外激光打标效果，字高162mm，字宽081mm，深度50μm，周围突起高度5μm。 图1 碳化硅样品激光标记 激光背金去除加工工艺 在整片碳化硅晶圆片上完成若干数量的芯片制作后需要对其进行切割、分片，进而得到一颗颗独立的芯片进 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
纳米压痕/划痕测试的样品制备与要求测试狗科研服务
2023年12月18日 样品数量 为了提高测试结果的可靠性，通常需要对多个样品进行测试；样品数量应根据材料的均匀性和测试设备的精度来确定。6 样品存储 在测试前，样品应妥善存储，避免受到环境因素的影响，如温度、湿度、光照等。2021年7月15日 采用OLYMPUS BX51M 金相显微镜观察反应熔渗后碳化硅样品的金相组织。对反应熔渗后的样品进 行抛光处理，观察抛光表面。采用Phenom ProX 台式扫描电子显微镜分析样品的微观结构。采用PTXFA110 电子天平测试样品重量，采用数显卡尺测试样品尺 立体光固化 3D 打印成型碳化硅陶瓷的烧结特性
凝胶注模成型反应烧结碳化硅制备工艺研究 百度学术
通过对凝胶注模成型反应烧结碳化硅坯体及烧结试样的性能研究表明:固相含量和单体含量是影响坯体和烧结样品性能的主要因素。 在一定范围内,随着单体含量的增加,坯体的弯曲强度也随之增大。2024年3月20日 样品：样品应具备代表性和一致性，能够反映出整批碳化硅的平均成分和性能，并在干燥、清洁、无尘的条件下保存和处理，避免样品污染和变质。 方法：方法应选择合适的检测项目和方法，根据实际情况调整检测条件，并严格按照标准或规范执行，并做好记录和标记，避免方法误差和混乱。碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅
中电科55所碳化硅芯片样品流片 第三代半导体百亿市场空间可期
2023年4月20日 近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导 Explore a wide range of topics and discussions on Zhihu's dedicated column page, offering insights and perspectives from various experts知乎专栏
升华三维：粉末挤出3D打印推动反应烧结碳化硅应用增长极
2023年11月25日 3D打印碳化硅样品 （样品来源：升华三维） 目前，大多数3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量较低、硅含量较高、力学性能较低。如直接墨水书写（DIW）的墨水中的固相含量太低，会导致陶瓷坯体致密度较低；激光打印在烧结过程中产生的热应力 摘要： 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RBSiC)材料上制备硅 改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果对样品进行了表面散射及反射的测量通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下 结构趋于疏松在精细抛光镀制有硅改性薄膜的 离子辅助制备碳化硅改性薄膜 百度学术
碳化硅湿法腐蚀工艺研究、碳化硅（SiC）、法腐蚀工艺
2023年3月7日 碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特 性，是制备高 电化学腐蚀具有工艺设备简单、样品要求低等优势，适合晶体表面改性，是制备多孔 SiC 的方法之一， 多孔 SiC 在光电器件 河北同光半导体历经2年多的研发，8英寸导电型碳化硅晶体样品 已经出炉，工作人员正在攻关加工成碳化硅单晶衬底。预计这款新产品2023年底可实现小批量生产，将被客户制为功率芯片。 11哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 10余家企业参与，5年内碳化硅（SiC）将全面入8英寸时代
SiC（碳化硅）MOSFET产品结果罗姆半导体集团
SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型 2024年1月26日 三菱电机发布J3系列碳化硅和硅功率模块样品 盖世汽车讯 1月23日，三菱电机公司（ Electric）宣布即将发布6款新型J3系列功率半导体模块，用于各类电动汽车（xEVs）。 新半导体模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）或RCIGBT（Si 三菱电机发布J3系列碳化硅和硅功率模块样品汽车资讯盖世
一种碳化硅晶片腐蚀的方法和装置[发明专利]百度文库
2014年6月18日 对于推动碳化硅生长工艺和电子器件制备工艺 的发展有着重要的意义。 [0004] 湿法腐蚀是研究碳化硅晶体缺陷的主要方法，由于其成本低、实验步骤简单和对 样品形状无要求而得到了广泛地应用。但由于碳化硅晶体化学性质非常稳定，几乎不受常 规腐蚀 2017年11月6日 下一步可以尝试通过控制不同粒度的粗、细SiC粉体颗粒分布，使SiC陶瓷样品烧结实现致密化，力学性能也可相应提高。 (1)本试验中，在2150 ℃，随着酚醛树脂添加量的增加，材料的致密度提高, 力学性能增强。当酚醛树脂添加量到2wt．%时, 材料的密度最 SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究
国基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技术攻关，打造汽车
2024年2月28日 持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，国基南方、55所碳化硅团队贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，陆续攻破高温高能离子注入、高迁移率栅氧化等关键工艺。 经过集智攻坚，团队建立国内条6英寸碳化硅功率产品生产 2024年2月27日 碳化硅晶圆纳秒紫外激光打标效果，字高162mm，字宽081mm，深度50μm，周围突起高度5μm。 图1 碳化硅样品激光标记 激光背金去除加工工艺 在整片碳化硅晶圆片上完成若干数量的芯片制作后需要对其进行切割、分片，进而得到一颗颗独立的芯片进 激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用 工业应用频道
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2023年12月18日 样品数量 为了提高测试结果的可靠性，通常需要对多个样品进行测试；样品数量应根据材料的均匀性和测试设备的精度来确定。6 样品存储 在测试前，样品应妥善存储，避免受到环境因素的影响，如温度、湿度、光照等。纳米压痕/划痕测试的样品制备与要求测试狗科研服务
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2021年7月15日 采用OLYMPUS BX51M 金相显微镜观察反应熔渗后碳化硅样品的金相组织。对反应熔渗后的样品进 行抛光处理，观察抛光表面。采用Phenom ProX 台式扫描电子显微镜分析样品的微观结构。采用PTXFA110 电子天平测试样品重量，采用数显卡尺测试样品尺 通过对凝胶注模成型反应烧结碳化硅坯体及烧结试样的性能研究表明:固相含量和单体含量是影响坯体和烧结样品性能的主要因素。 在一定范围内,随着单体含量的增加,坯体的弯曲强度也随之增大。凝胶注模成型反应烧结碳化硅制备工艺研究 百度学术
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2024年3月20日 样品：样品应具备代表性和一致性，能够反映出整批碳化硅的平均成分和性能，并在干燥、清洁、无尘的条件下保存和处理，避免样品污染和变质。 方法：方法应选择合适的检测项目和方法，根据实际情况调整检测条件，并严格按照标准或规范执行，并做好记录和标记，避免方法误差和混乱。2023年4月20日 近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导 中电科55所碳化硅芯片样品流片 第三代半导体百亿市场空间可期
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