细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
制作二氧化硅设备
采用peteos工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备百度文库
peteos工艺是一种以等离子体增强化学气相沉积为基础的薄膜制备技术。 其原理是通过将TEOS（四乙氧基硅烷）与氧气反应，生成二氧化硅薄膜并沉积在衬底上。 在这一过程 2024年6月25日 集成电路制作中的隔离方法有PN结隔离和介质隔离，其中介质隔离通常选择的就是siO2氧化膜。 例如CMOS工艺中的场氧（用来隔离PMOS和NMOS晶体管）就 氧化硅片(silicon oxide wafer) 先进电子材料与器件校级平台
二氧化硅生产工艺流程百度文库
二氧化硅生产工艺流程 结论： 通过深入探讨二氧化硅的生产工艺流程，我们更加全面了解了从原材料选择与处理到成品制备的关键步骤。 二氧化硅作为一种重要的材料，在不同领 2019年9月30日 摘要: 综述了二氧化硅(SiO2)薄膜的制备方法和研究进展,介绍了磁控溅射、溶胶凝胶法和真空镀等SiO2薄膜制备方法及其优缺点,论述SiO2薄膜在光学、电学和光电 SiO2薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展
一种纳米二氧化硅的生产设备的制作方法 X技术网
2020年1月15日 一种纳米二氧化硅的生产设备的制作方法 本实用新型涉及二氧化硅技术领域，具体为一种纳米二氧化硅的生产设备。 背景技术： 纳米二氧化硅是一种无机化工材料，俗称白炭黑，由于是超细纳米 2019年12月3日 一种二氧化硅提纯设备的制作方法 本实用新型涉及化工设备技术领域，具体为一种二氧化硅提纯设备。 背景技术： 二氧化硅，化学术语，纯的二氧化硅无色， 一种二氧化硅提纯设备的制作方法 X技术网
纳米二氧化硅的制备方法上海硅酸盐工业协会
纳米二氧化硅的制备方法 纳米二氧化硅俗称“超微细白炭黑”，它的表面带有羟基，粒径小于100nm , 通常为2 0 ~6 0nm，化学纯度高，分散性好，比表面积大。 纳米二氧化硅对波 2018年9月1日 所以，如何设计一种二氧化硅薄膜的生产设备，成为我们当前要解决的问题。技术实现要素： 本实用新型的目的在于提供一种二氧化硅薄膜的生产设备，以解决上 一种二氧化硅薄膜的生产设备的制作方法 X技术网
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科研一角二氧化硅薄膜制备方法、性能及其应用的
2022年12月22日 目前磁控溅射的双靶反应溅射沉积 二氧化硅 的设备已经成功应用到了生产线上。 四：结语 20世纪90年代中期以来，二氧化硅薄膜作为一种新型材料在光学和电学等方面具有优异的性能，越来越受到 2014年7月23日 通常PECVD设备昂贵，采用全PECVD工艺制作PLC器件[10] ，往往生产效率与制作成本处于劣势。 FHD比PECVD更早用于PLC器件的制作[11] [12] ，该方法能较快地生长厚 达几十甚至上百微米的SiO 2 膜层材料，对台阶的覆盖比PECVD更好[13] ，但对膜层厚度均匀性的控制相对更难。二氧化硅光波导膜材料的制备工艺 Fabrication Process of
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工业上生产二氧化硅原理和工艺流程？？？百度知道
2013年5月28日 分享 举报 工业上生产二氧化硅原理和工艺流程？ 1 制备二氧化硅部分1 1 主要原料、设备和仪器主要原料:工业硅酸钠 , ρ=1384 g/cm3;工业硫酸;乳化剂;氨水;合成蜡。 主要设备和仪器:搪瓷 ( 带搅拌,夹套加热 )釜 ;高速搅2024年6月25日 AEMD的氧化硅片是运用热氧化工艺，通过常压炉管设备在高温（800℃~1150℃）条件下，通过氧气或者水蒸气的方式在硅片的表面生长而成的二氧化硅薄膜。 加工的厚度范围从50纳米到2微米，工艺温度高达1100摄氏度，生长方式分为“湿氧”和“干氧”两种。 热 氧化硅片(silicon oxide wafer) 先进电子材料与器件校级平台
纳米二氧化硅的制备方法上海硅酸盐工业协会
化学法：制备纳米sio2的化学法主要为:以卤化硅为原料的气相法、以水玻璃为原料的沉淀法和以硅酸酯为前驱体的溶胶—凝胶法。 气相法是制备高纯度sio2的主要方法，产品的原生粒径分布窄、分散度好,但具有工艺复杂、对设备要求苛刻且原料成本高等缺点 2023年2月3日 1本实用新型涉及一种净化设备，具体为一种气相二氧化硅生产净化设备，属于气相二氧化硅生产净化技术领域。背景技术： 2气相二氧化硅还可以提高涂料的耐候性、抗划伤性，提高涂层与基材之间的结合强度，同时，气相二氧化硅具有极强的紫外线吸收、红外光反射特性，填加在涂料中能提高 一种气相二氧化硅生产净化设备的制作方法 X技术网
一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备pdf 8页 VIP 原创力文档
2023年1月18日 一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备pdf, 本实用新型涉及气垫胶技术领域，尤其为一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备，包括壳体，所述壳体的顶端固定连接有支撑柱，所述支撑柱的顶端固定连接有储料箱，所述壳体的底端内侧转动连接有转盘，所述 2019年9月30日 摘要 摘要: 综述了二氧化硅 (SiO2)薄膜的制备方法和研究进展,介绍了磁控溅射、溶胶凝胶法和真空镀等SiO2薄膜制备方法及其优缺点,论述SiO2薄膜在光学、电学和光电等性能研究方面的新进展,最后对SiO2薄膜的应用和发展进行了展望 关键词: SiO2薄膜 / 制 SiO2薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展
SiO2薄膜制备的现行方法综述(2) 真空技术网
2009年9月6日 SiO2薄膜制备的现行方法综述 (2) 直流和中频反应磁控溅射制备SiO 2 膜时，只能用单晶硅作为靶材，当要选用高纯石英作为靶材时，就只能采用射频磁控溅射法。 长期以来，磁控溅射法制备SiO 2 一般采用射频溅射工艺， 通入纯度为9999% 氧气和纯度为9999%氩气的 2018年10月4日 制作VIA： 首先步就是在整个MOS上盖一层SiO2，如下图 当然这个SiO2是通过CVD的方式产生的，因为这样速度会很快，很节省时间。 下面的话还是铺光阻，曝光的那一套，结束之后是长这个样子。 然后再用刻蚀的方法在SiO2上刻蚀出一个洞，如下图灰色的部分 这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）SiO2
lpd方法制作二氧化硅薄膜的研究及其表征 豆丁网
2014年9月4日 LPD方法制作二氧化硅薄膜的研究及其表征 章引言 §1．1薄膜技术简介 薄膜技术源于二十世纪六十年代硅基集成电路的出现。为了提高单个芯片的集成 度，在一个基底硅单晶片上需要制作成千上万个电阻、电容和晶体管。器件的隔离问题本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种采用PETEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备。背景技术采用PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯淀积二氧化硅)工艺制备的二氧化硅薄膜，由于其低成本、高稳定性及高产出在半导体制造中应用非常广泛。但是在半导体制备过程中，一般采用热氧化工艺、PE 采用PETEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备与流程 X
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知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
Explore Zhihu's column for a platform to write freely and express yourself2020年1月15日 本实用新型涉及二氧化硅技术领域，具体为一种纳米二氧化硅的生产设备。背景技术： 纳米二氧化硅是一种无机化工材料，俗称白炭黑，由于是超细纳米级，尺寸范围在1100nm，因此具有许多独特的性质，如具有对抗紫外线的光学性能，能提高其他材料抗老化、强度和耐化学性能，用途非常广泛 一种纳米二氧化硅的生产设备的制作方法 X技术网
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硅基底上SiO2薄膜的制备与光学性能 道客巴巴
2014年3月6日 因此, 近年来采用 PECVD 技术制作 SiO2作为太阳电池的光学减反射膜已经成为光伏界研究的热点[56]。 本文采用硅片作为薄膜沉积基底、 SiH4和 N2O 作为反应气体， 利用椭圆偏振仪的测量方法， 研究了温度、 射频功率、 反应气压以及气体流量比等工艺参数对 SiO2薄膜光学性能的影响。2020年11月1日 二氧化硅粉体 2 二氧化硅陶瓷制造 （1）SiO2玻璃（石英玻璃） 二氧化硅玻璃在自然界也有存在，过去以硅砂和水晶作原料，在2000℃右的高温下熔制成玻璃，称为熔融石英玻璃。 现在采用新的合成方法，可以制得新型二氧化硅玻璃。 方法有以下两 二氧化硅陶瓷介绍与应用 CERADIR 先进陶瓷在线
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
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一种低温二氧化硅加工设备的制作方法3 X技术网
2020年2月21日 本实用新型涉及二氧化硅生产技术领域，具体为一种低温二氧化硅加工设备。背景技术二氧化硅，化学术语，纯的二氧化硅无色，常温下为固体，化学式为sio2，不溶于水，不溶于酸，但溶于氢氟酸及热浓磷酸，能和熔融碱类起作用，自然界中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅两种，二氧化硅 2021年3月16日 目前，制备纳米二氧化硅采用最多的是气相法和溶胶凝胶法。 而沉淀法制备超细二氧化硅虽然原料价廉，工艺简单，易于工业化，具有很好的应用前景，但由于该法制备的纳米二氧化硅的孔径较小，反应条件较难控制没能得到推广。 本工作以碱性硅溶胶与无 硅溶胶制备纳米二氧化硅的工艺研究 大连斯诺化学国内首
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科研一角二氧化硅薄膜制备方法、性能及其应用的
2022年12月22日 目前磁控溅射的双靶反应溅射沉积 二氧化硅 的设备已经成功应用到了生产线上。 四：结语 20世纪90年代中期以来，二氧化硅薄膜作为一种新型材料在光学和电学等方面具有优异的性能，越来越受到 2014年7月23日 通常PECVD设备昂贵，采用全PECVD工艺制作PLC器件[10] ，往往生产效率与制作成本处于劣势。 FHD比PECVD更早用于PLC器件的制作[11] [12] ，该方法能较快地生长厚 达几十甚至上百微米的SiO 2 膜层材料，对台阶的覆盖比PECVD更好[13] ，但对膜层厚度均匀性的控制相对更难。二氧化硅光波导膜材料的制备工艺 Fabrication Process of
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工业上生产二氧化硅原理和工艺流程？？？百度知道
2013年5月28日 分享 举报 工业上生产二氧化硅原理和工艺流程？ 1 制备二氧化硅部分1 1 主要原料、设备和仪器主要原料:工业硅酸钠 , ρ=1384 g/cm3;工业硫酸;乳化剂;氨水;合成蜡。 主要设备和仪器:搪瓷 ( 带搅拌,夹套加热 )釜 ;高速搅2024年6月25日 AEMD的氧化硅片是运用热氧化工艺，通过常压炉管设备在高温（800℃~1150℃）条件下，通过氧气或者水蒸气的方式在硅片的表面生长而成的二氧化硅薄膜。 加工的厚度范围从50纳米到2微米，工艺温度高达1100摄氏度，生长方式分为“湿氧”和“干氧”两种。 热 氧化硅片(silicon oxide wafer) 先进电子材料与器件校级平台
纳米二氧化硅的制备方法上海硅酸盐工业协会
化学法：制备纳米sio2的化学法主要为:以卤化硅为原料的气相法、以水玻璃为原料的沉淀法和以硅酸酯为前驱体的溶胶—凝胶法。 气相法是制备高纯度sio2的主要方法，产品的原生粒径分布窄、分散度好,但具有工艺复杂、对设备要求苛刻且原料成本高等缺点 2023年2月3日 1本实用新型涉及一种净化设备，具体为一种气相二氧化硅生产净化设备，属于气相二氧化硅生产净化技术领域。背景技术： 2气相二氧化硅还可以提高涂料的耐候性、抗划伤性，提高涂层与基材之间的结合强度，同时，气相二氧化硅具有极强的紫外线吸收、红外光反射特性，填加在涂料中能提高 一种气相二氧化硅生产净化设备的制作方法 X技术网
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2023年1月18日 一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备pdf, 本实用新型涉及气垫胶技术领域，尤其为一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备，包括壳体，所述壳体的顶端固定连接有支撑柱，所述支撑柱的顶端固定连接有储料箱，所述壳体的底端内侧转动连接有转盘，所述 2019年9月30日 摘要 摘要: 综述了二氧化硅 (SiO2)薄膜的制备方法和研究进展,介绍了磁控溅射、溶胶凝胶法和真空镀等SiO2薄膜制备方法及其优缺点,论述SiO2薄膜在光学、电学和光电等性能研究方面的新进展,最后对SiO2薄膜的应用和发展进行了展望 关键词: SiO2薄膜 / 制 SiO2薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展
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SiO2薄膜制备的现行方法综述(2) 真空技术网
2009年9月6日 SiO2薄膜制备的现行方法综述 (2) 直流和中频反应磁控溅射制备SiO 2 膜时，只能用单晶硅作为靶材，当要选用高纯石英作为靶材时，就只能采用射频磁控溅射法。 长期以来，磁控溅射法制备SiO 2 一般采用射频溅射工艺， 通入纯度为9999% 氧气和纯度为9999%氩气的 2018年10月4日 制作VIA： 首先步就是在整个MOS上盖一层SiO2，如下图 当然这个SiO2是通过CVD的方式产生的，因为这样速度会很快，很节省时间。 下面的话还是铺光阻，曝光的那一套，结束之后是长这个样子。 然后再用刻蚀的方法在SiO2上刻蚀出一个洞，如下图灰色的部分 这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）SiO2
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