细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。
石材抛光碳化硅粉体要求


一种石材抛光粉[发明专利]百度文库
草酸可以 抛亮石材 ,但需要大量 用水 ,大量的抛光浆水对环境造成污染 ,且光泽度 消失的很快,绿碳化硅和氧化铝虽然也能抛亮石材,但会留下细微的划痕且是干枯的光泽。 2021年9月18日 本标准规定了4H 及6H 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法,表面质量 包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。 本文件适用于经化学机械抛光及最 中华人民共和国国家标准

超微细碳化硅抛光粉广州市新稀冶金化工有限公司
超微细碳化硅抛光粉 产品特性: 超微细碳化硅,SiC含量在99%以上,微观形状呈六方晶体,在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。 经过多道工序加工后,随 2024年6月11日 具体如封装基板、晶圆抛光和高功率电子设备的散射器件,无一例外,这些应用对碳化硅原材料的要求极高,纯度、结晶质量和缺陷密度(如位错)等都会对晶圆 晶彩科技张磊:超高纯碳化硅粉体制备及高端应用(报告)粉

碳化硅晶片为何抛光难?有哪些辅助增效技术?粉体资讯
2023年9月18日 与传统半导体相比,单晶 碳化硅 作为新型半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、饱和电子漂移速率高等突出优点,可满足在高频高功率电子器 2022年7月26日 如何实现碳化硅晶圆的高效低损伤抛光? 导读:碳化硅 (SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能,广泛应用于半导体、 如何实现碳化硅晶圆的高效低损伤抛光?粉体资讯粉体圈

碳化硅粉末的生产和应用
在通常要求高纯度的半导体行业,碳化硅被广泛用于制造肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等电力电子器件。 碳化硅具有高 2024年5月27日 获得超光滑表面碳化硅晶片的抛光方式中,包括电化学抛光(ECMP)、摩擦化学抛光(TCP)、化学机械抛光(CMP)等,其中化学机械抛光将化学抛光技术和机械抛光 不解决“它”,碳化硅衬底降本难!要闻资讯中国粉体网

石材抛光粉百度百科
抛光磨石在被加工产品上抛光,待抛光产品烫手后,将板面加水量水,以起到降温作用,不允许连续加水或大量加水,否则,水的润滑作用将会使抛光达不到理想效果,也不能全部 2020年8月16日 碳化硅 (SiC) 衬底片的工艺优化和对应抛光耗材 碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,也是目前发展最为成熟的第三代半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但是制作高温 碳化硅(SiC) 衬底片的工艺优化和对应抛光耗材 北

诚邀参会∣抛光材料分会年会暨2021年抛光材料产业发展论坛
2021年10月21日 为更好融合抛光材料研发、生产与应用技术,以"深化合作发展共赢"为主题,中国稀土行业协会抛光材料分会将于2021年11月5日在桂林召开"2021年中国稀土行业协会抛光材料分会年会暨中国稀土抛光材料产业技术发展研讨会"。 会议将邀请高精度抛光相关领 2021年4月9日 石材抛光碳化硅粉体要求 破碎设备 制砂设备 磨粉设备 移动站设备 配套设备 C6X系列颚式破碎机 CI5X系列反击式破碎机 CS弹簧圆锥破碎机 HGT旋回式破碎机 HJ系列颚式破碎机 石材抛光碳化硅粉体要求

碳化硅单晶生长步,要纯!要闻资讯中国粉体网
2024年2月28日 碳化硅单晶生长用高纯SiC粉料,其合成有哪些因素影响? 中国粉体网讯 近年来,制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高,杂质含量应至少低于0001%,此外,碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。2019年6月12日 据报道,中国电子科技集团公司第二研究所(中电科二所)实现了5N以上高纯度的 碳化硅 单晶粉料量产。 结合其自身碳化硅单晶生长炉的生产能力,实现了第三代碳化硅(SIC)半导体从设备到原料的完全自主生产。 高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料 中电科二所:实现5N+碳化硅(SIC)半导体粉料自主生产

【会议通知】2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展
2024年8月2526日,粉体圈将在江苏无锡举办“2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛(第二届)”,届时将聚集上下游单位研发负责人、科研院校技术专家以及相关产业的投资机构,共同探讨精密研磨抛光领域的发展机遇与未来方向。2022年4月24日 αSiC 粉体是目前碳化硅陶瓷产品的主要原料,而具有金刚石结构的 βSiC 多用于制备精密研磨抛光材料。 目前,国内碳化硅冶炼及粉体制备的数量在全世界范围内占有最高份额,主要以用于耐火材料、磨料磨具、精细陶瓷的 SiC 粉体为主。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

超微细碳化硅抛光粉广州市新稀冶金化工有限公司
超微细碳化硅抛光粉 产品特性: 超微细碳化硅,SiC含量在99%以上,微观形状呈六方晶体,在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。 经过多道工序加工后,随着粒度向亚纳米尺度靠近时,颜色由绿色逐渐变为灰色,主要特点: 1、添加多种 2024年1月22日 本文即整理介绍其在晶圆抛光解决方案中的产品和相关参数。 一、流程 晶圆CMP抛光不同工序对应不同的产品——比如晶锭切片对应GC系列(碳化硅),随着工序推进,工艺的精细化也不断提升。 Fujimi的晶圆工序及对应产品示意图 二、产品 1GC系 Fujimi晶圆抛光解决方案——磨料产品介绍粉体资讯粉体圈

氧化铝在抛光领域的现状与展望之“抛光氧化铝的发展和应用
2020年3月30日 中国粉体网讯 (一)概述 在精细氧化铝的大家族中,氧化铝作为研磨抛光材料大致分为两大类,即熔融刚玉(如白刚玉、棕刚玉等)和烧结刚玉。所谓的烧结刚玉是指氢氧化铝、氧化铝经过高温煅烧使其转为α相的一类氧化铝,国内称为α氧化铝,业内人士也称之为 2023年9月15日 如今高品质的高纯纳米氧化铝粉体国内已经达到了不错的水平,但应用于CMP抛光的高纯氧化铝粉体仍旧有着较高的技术门槛。 由于纳米α氧化铝的硬度很高,抛光时易对工件表面造成严重的损伤,而且纳米氧化铝的表面能比较高,粒子易团聚,也会造成抛光工件的划痕、凹坑等表面缺陷。中铝山东:CMP抛光用高纯氧化铝的制备及应用(报告)粉

高级陶瓷: 碳化硅磨料, 完整指南 河南优之源磨料
2024年6月4日 碳化硅磨料 碳化硅陶瓷磨料由碳化硅组成, 化学上称为SiC 它是由紧密排列的硅和碳分子组成的化合物 它作为莫桑石矿物天然存在, 它的颗粒通过加热结合在一起 (1200 ℃~ 1400 ℃), 也称为烧结过程 其承受重度磨损的能力和经济的生产使其成为磨料的完美选择 2022年8月5日 碳化硅 粉在碳化硅晶圆生产中的应用 碳化硅晶圆的生产,是先要制备碳化硅衬底,目前其制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法,其中以改进Lely法为主流。 Lely法,又称升华法,其基本原理是:在空心圆筒状 石墨 坩埚中(最外层石墨坩埚,内置多 碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉通常如何制备?粉体资讯

恒钻新材:实现国产替代的金刚石组团和类多晶磨料有何玄机
2024年3月19日 近日粉体圈了解到,江西恒钻新材料科技有限公司(恒钻新材)新研发出来的金刚石组团磨料和类多晶,在用于各类精密材料的抛光时,增加抛光效率的同时可降低工件表面的划伤,成功替代了国外进口产品,保证客户工件加工要求的同时帮客户降低了生产成本 2018年5月22日 碳化硅的制备方法简介: 近年来,在高新技术领域发展起来的超细 碳化硅粉 体制备的方法,主要归为三种:固相法、液相法和气相法。 A固相法:碳热还原法、Si与C直接反应法(包括高温自蔓延合成法和机械合金化法)。 B液相法:溶胶—凝胶法、聚合 【一课堂】碳化硅粉体的制备及市场简述要闻资讯

高纯度碳化硅清洁生产要闻资讯中国粉体网
2024年3月11日 中国粉体网 将于 2024年4月25日 在 江苏苏州 举办“ 第三届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会暨第三代半导体SiC晶体生长技术交流会 ”,届时, 福州大学洪若瑜教授 将带来题为《 高纯度碳化硅清洁生产 》的报告。 洪教授基于碳化硅粉体的特性、应用领域,将 2023年1月6日 2碳化硅粉体整形的熔盐法工艺研究,李艳霞(西安科技大学); 3超细粉颗粒形貌控制技术的研究,陈海焱、陈文梅(金刚石与磨料磨具工程); 4金刚石微粉整形技术研究,刘慧苹、方海江、张迎九(煤炭与化工)。碳化硅、金刚石等磨料微粉通常如何进行颗粒整形? 技术

西安博尔新材料有限责任公司立方碳化硅微粉立方碳化硅
2020年1月9日 西安博尔新材料有限责任公司 是一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业,自主发明实现工业化生产立方碳化硅(βSiC)微粉和晶须的专业企业。 总投资186亿元,生产的立方碳化硅(βSiC)等 2020年8月16日 有鉴于此,国瑞升特进行碳化硅(SiC)衬底抛光工艺的优化和耗材的开发。 抛光所用测试机台为普通抛光机 碳化硅(SiC)衬底抛光工艺:粗抛测试条件及参数设定: 抛光对象: 4寸4H SiC 衬底片*3 pcs*4 Head(片子厚度约470μm)抛 光 垫:特种聚氨酯粗抛垫 粗 抛 碳化硅(SiC) 衬底片的工艺优化和对应抛光耗材 北京国瑞升

雨花石表面研磨抛光用绿碳化硅微粉2000#石材抛光粉阿里巴巴
阿里巴巴雨花石表面研磨抛光用绿碳化硅微粉2000#石材抛光粉,人造磨料,这里云集了众多的供应商,采购商,制造商。这是雨花石表面研磨抛光用绿碳化硅微粉2000#石材抛光粉的详细页面。产地:河南郑州,品牌:四成,型号:2000#,种类:碳化硅,规格:25,材质:石英砂,粒度:2000#(目),适用范围:雾化 2021年10月21日 为更好融合抛光材料研发、生产与应用技术,以"深化合作发展共赢"为主题,中国稀土行业协会抛光材料分会将于2021年11月5日在桂林召开"2021年中国稀土行业协会抛光材料分会年会暨中国稀土抛光材料产业技术发展研讨会"。 会议将邀请高精度抛光相关领 诚邀参会∣抛光材料分会年会暨2021年抛光材料产业发展论坛

石材抛光碳化硅粉体要求
2021年4月9日 石材抛光碳化硅粉体要求 破碎设备 制砂设备 磨粉设备 移动站设备 配套设备 C6X系列颚式破碎机 CI5X系列反击式破碎机 CS弹簧圆锥破碎机 HGT旋回式破碎机 HJ系列颚式破碎机 2024年2月28日 碳化硅单晶生长用高纯SiC粉料,其合成有哪些因素影响? 中国粉体网讯 近年来,制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高,杂质含量应至少低于0001%,此外,碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。碳化硅单晶生长步,要纯!要闻资讯中国粉体网

中电科二所:实现5N+碳化硅(SIC)半导体粉料自主生产
2019年6月12日 据报道,中国电子科技集团公司第二研究所(中电科二所)实现了5N以上高纯度的 碳化硅 单晶粉料量产。 结合其自身碳化硅单晶生长炉的生产能力,实现了第三代碳化硅(SIC)半导体从设备到原料的完全自主生产。 高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料 2024年8月2526日,粉体圈将在江苏无锡举办“2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛(第二届)”,届时将聚集上下游单位研发负责人、科研院校技术专家以及相关产业的投资机构,共同探讨精密研磨抛光领域的发展机遇与未来方向。【会议通知】2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展

国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日 αSiC 粉体是目前碳化硅陶瓷产品的主要原料,而具有金刚石结构的 βSiC 多用于制备精密研磨抛光材料。 目前,国内碳化硅冶炼及粉体制备的数量在全世界范围内占有最高份额,主要以用于耐火材料、磨料磨具、精细陶瓷的 SiC 粉体为主。超微细碳化硅抛光粉 产品特性: 超微细碳化硅,SiC含量在99%以上,微观形状呈六方晶体,在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。 经过多道工序加工后,随着粒度向亚纳米尺度靠近时,颜色由绿色逐渐变为灰色,主要特点: 1、添加多种 超微细碳化硅抛光粉广州市新稀冶金化工有限公司

Fujimi晶圆抛光解决方案——磨料产品介绍粉体资讯粉体圈
2024年1月22日 本文即整理介绍其在晶圆抛光解决方案中的产品和相关参数。 一、流程 晶圆CMP抛光不同工序对应不同的产品——比如晶锭切片对应GC系列(碳化硅),随着工序推进,工艺的精细化也不断提升。 Fujimi的晶圆工序及对应产品示意图 二、产品 1GC系 2020年3月30日 中国粉体网讯 (一)概述 在精细氧化铝的大家族中,氧化铝作为研磨抛光材料大致分为两大类,即熔融刚玉(如白刚玉、棕刚玉等)和烧结刚玉。所谓的烧结刚玉是指氢氧化铝、氧化铝经过高温煅烧使其转为α相的一类氧化铝,国内称为α氧化铝,业内人士也称之为 氧化铝在抛光领域的现状与展望之“抛光氧化铝的发展和应用

中铝山东:CMP抛光用高纯氧化铝的制备及应用(报告)粉
在即将于2023年9月1819日在东莞举办的“2023年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛”,将由来自中铝山东有限公司高纯氧化铝事业部、新材料研究所的杨丛林所长分享报告“CMP抛光用高纯氧化铝的制备及应用”,报告将对CMP抛光用高纯氧化铝的制备工艺、产品指标、应用性能等进行详细介绍。
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