细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
南车时代碳化硅
株洲中车时代电气股份有限公司 > 网站首页
2024年4月8日 中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成果鉴定 中车株洲所突破世界难题 地铁进入“把脉”测速时代 无需轮轴速度传感器株洲中车时代 电气股份有限公司 官方微信 中车网站群 中国中车 齐齐哈尔公司 长 网站首页
多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展中国工业
3 天之前 多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展 中国工业报记者 曹雅丽 “半导体产业的迅猛发展，正引领着全球科技革命和产业变革的新浪潮，碳化硅在全球新能源 2013年7月29日 株洲南车时代电气股份有限公司 建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产 1 万片 4 英寸 （可扩充到 6 英寸 ）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨
时代电气研究：IGBT和SiC双线布局，轨交龙头打开全新成长空间
2022年8月4日 2021 年 12 月， 时代电气自主研发的中车自主高压碳化硅电驱系统 CPower 220s 正式发布，该电驱系统也是国内首款基于自主碳化 硅器件的大功率电驱产品。2018年2月2日 南车株洲所与中国科学院微电子研究所联合，组建新型电力电子器件研发中心，开展以碳化硅为基础材料的新型电力电子器件技术与产业化的研究。 目前，中心已 大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化
铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍
2016年6月3日 Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。 其展现出的优异性能,吸 2012年12月21日 21日从中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司（简称“南车时代电气”）获悉，该公司自主生产的800安培/3300伏、1200安培/3000伏两种轨道交通用高 国产轨道交通用高压IGBT芯片通过专家鉴定 国务院国有
南车时代：大功率半导体器件IGBT产业化建设项目 北极星
2013年11月14日 日前，南车时代新材有限公司自主研制的国内首套复合材料光伏支架成功装机，这标志着南车时代成为国内家掌握复合材料光伏支架技术的企业。2018年7月20日 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积层介质层；在所述层介质层上沉积第 中国科学院机构知识库网格系统: 一种碳化硅MOSFET沟道自
株洲南车时代电气股份有限公司 百度百科
株洲南车时代电气股份有限公司 （简称“南车时代电气”）经国务院 国有资产监督管理委员会 批准，由 中国南车集团株洲电力机车研究所、中国南车集团 株洲电力机车有限公司、中国南车集团 戚墅堰机车车辆厂、昆明中铁大 2017年8月16日 作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅 (SiC)单晶材料具有禁带宽度大 (~Si的3倍)、热导率高 (~Si的33倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高 (~Si的25倍)和击穿电场高 (~Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。 SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工 中科风控：第三代半导体材料——碳化硅（SiC）网易订阅
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨
2017年1月30日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司厂内的预留用地，建设功率 2018年2月2日 南车株洲所智慧 地选择了一条“捷径”——实施“收购整合创新”战略，通过全球性战略布局，吸纳国际优势研发资源，对IGBT技术进行自主攻关。 2008年10月31日，南车株洲所下属株洲南车时代电气股份有限 公司成功收购英国丹尼克斯半导体公司75%的股权，为中国南车实现IGBT技术的突破打开了一扇 大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化
南车时代IGBTVVVF牵引变流器 电机音复原哔哩哔哩bilibili
2021年1月3日 南车时代电气IGBTVVVF牵引变流器 电机音复原 参照了奶咖二世的电机音，电机换成了洗衣机电机，电压75V，音效比之前的小电机好得多。时代电气变流器的调制方式特殊，很有特色, 视频播放量 41546、弹幕量 352、点赞数 456、投硬币枚数 64 2018年7月20日 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积层介质层；在所述层介质层上沉积第二层介质层；在所述第二层介质层上涂覆光刻胶，并光刻显影 中国开放科研知识云: 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨
2013年9月13日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司厂内的预留用地，建设功率 2013年12月3日 公司介绍 株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部（以下简称电力电子事业部）是南车时代电气下属的核心业务单元之一，专业从事大功率半导体器件的研发、制造与销售。 电力电子事业部从1964年开始研发大功率半导体器件以来，走出了一条“研究 株洲南车时代电气股份有限公司
株洲中车时代电气股份有限公司 > 产品与服务 > 产品中心
中央空调电气传动系统产品 矿山载运装备电驱产品系统解决方案 电能质量治理产品及系统解决方案 轧机传动变频产品及系统 2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”(组图) Sohu
转型大功率半导体巨头 南车时代电气收购Dynex收官 21ic
2008年11月5日 株洲南车时代 电气 (03898，以下简称时代电气)对英国 大功率 半导体商 Dynex Power Inc75%股权的收购案，历时5个月，终于10月31日宣告完成。 11月2日，时代电气通过香港联交所的公告宣布了该事宜，时代电气以约1672万加元 (约109亿人民币)的价格收购 Dynex Power75%的 2014年8月1日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”铁合金业界资讯铁合金在线
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨
2021年12月8日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书简本建设单位,株洲南车时代电气股份有限公司评价单位,湖南省环境保护科学研究院二一三年八月目录一建设项目概况3二建设项目周围环境现状3 2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成打造中国“碳化硅谷”要闻资讯中国粉体网
株洲中车时代半导体有限公司关于我们下属公司株洲中车
株洲中车时代半导体有限公司自1964年开始致力于功率半导体技术的研发与产业化，现已成为少数同时掌握IGBT、SiC器件、晶闸管、IGCT及其组件技术的产业化基地之一，是我国集器件开发、生产与应用为一体的IDM（集成设计制造）模式企业代表，拥有芯片—模块 知乎专栏提供一个自由表达和随心写作的平台，让用户分享知识和见解。知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
南车时代 碳化硅上海破碎生产线
南车时代电气功率半导体研发大楼落成剪彩电气资讯百方电气。年月日。整合相关技术资源,已经形成了一个国际化、专业化的功率半导体技术研发团队,正在开展新一代IGBT、新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发。2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。瀚天天成：打造中国“碳化硅谷” 福建经济 东南网 fjsen
IGBT国产替代下，中车时代正在成为百亿新增市场的独宠
2020年7月14日 中车时代官网除了展示IGBT产品外，还有展示5款SiC肖特基（SICSBD产品），目前中车碳化硅的技术处于国际领先齐头并进的水平，相信在未来35年，SIC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下，公司又将收获一枚业绩增长强驱动。碳化硅沟槽栅MOSFET 技术研究进展 2023 罗海辉，李诚瞻，姚尧， 《机车电传动》 被引量 株洲南车时代 电气股份有限公司 王彦刚 北京工业大学电子工程系 合作机构 株洲南车时代电气股份有限公司 罗海辉 百度学术
中科风控：第三代半导体材料——碳化硅（SiC）网易订阅
2017年8月16日 作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅 (SiC)单晶材料具有禁带宽度大 (~Si的3倍)、热导率高 (~Si的33倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高 (~Si的25倍)和击穿电场高 (~Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。 SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工 2017年1月30日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司厂内的预留用地，建设功率 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨
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2018年7月20日 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积层介质层；在所述层介质层上沉积第二层介质层；在所述第二层介质层上涂覆光刻胶，并光刻显影 2013年9月13日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司评价单位：湖南省环境保护科学研究院二〇一三年八月株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司厂内的预留用地，建设功率 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨
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瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”(组图) Sohu
2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。
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